ХАЯСИ Рио (JP)

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранн...