Трубочкина Надежда Константиновна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковая структура логического элемента И-НЕ, содержащая первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзисторы и подложку, выполнена нано...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Техническим результатом изобретения является создание полупроводниковой структуры нанометрового размера, обладающей пониженной мощностью потребления, уменьшенной стоимостью и обладающей большей функциональностью. Сущность изобрет...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что подложка выполнена наноразмерной и является общим анодом нагрузочных диодов, на подложке расположены первая область второго типа проводимости, которая является коллектором первог...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что в интегральном логическом элементе И-НЕ на основе слоистой трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзист...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. В интегральном логическом элементе ИЛИ-НЕ на основе однослойной трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, нагрузочный резистор и подложку, логическая структура выполнена наноразмерно...

Использование: для создания интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что бистабильная ячейка памяти на базе однослойной наноструктуры, имеющая горизонтально ориентированные слои, содержит диэлектрическую подложку, размещенные на диэлектрической подложке первый, второй логические транзисторы, первый, второй нагрузочные диоды и выполнена н...