ПАРК Донгкиу (US)

Данная группа изобретений относится к средствам считывания данных из матрицы памяти. Технический результат заключается в снижении тока утечки в магнитном оперативном запоминающем устройстве. Он достигается тем, что прикладывают сигнал считывания к битовой шине, соединенной с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на м...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении области (площади) устройства, увеличении матричной плотности и упрощении маршрутизации линии истока за счет уменьшения числа линий истока. Устройство памяти содержит первую колонку ячеек памяти включающую в себя первую ячейку памяти; вторую колонку ячеек памяти, включающую в себя вторую ячейку памяти; п...

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к электронной памяти. Техническим результатом является снижение мощности в электронном запоминающем устройстве. Запоминающее устройство содержит последовательно сегментированную разрядную линию для доступа к данным в упомянутом запоминающем устройстве, повторитель с защелкой, управляющий сегментами разрядной линии, причем повторитель с заще...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении производительности чтения усилителя считывания MRAM. Запоминающее устройство, содержащее ячейку памяти, включающую в себя основанный на сопротивлении элемент памяти, соединенный с входным транзистором, причем входной транзистор имеет первую толщину оксида так, чтобы дать возможность работы ячейки памяти...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребляемой мощности. Полупроводниковое устройство памяти с двойным напряжением, содержащее множество формирователей записи, принимающих входные сигналы данных низкого напряжения; множество разрядных шин, соединенных с множеством формирователей записи, причем множество формирователей записи сконфигуриро...