Павлов Владимир Юрьевич (RU)

Изобретение относится к области медицины, а именно к оториноларингологии. Сущность способа состоит в том, что послойно закрывают зияющий дефект местными тканями в сочетании с арматурной пластиной из проницаемо-пористого никелида титана. При этом арматурную пластину предварительно внедряют между кожей и фасцией на участке шеи, смежном с зияющим дефектом. Ее выдерживают для вживления в течение 3-5...

Изобретение относится к области медицины, а именно к хирургии трахеи, и может найти применение при пластике зияющих дефектов трахеи. Сущность способа состоит в послойном закрытии зияющего дефекта местными тканями в сочетании с армирующим имплантатом из никелида титана. При этом в качестве армирующего имплантата используют лоскут ткани из никелид-титановой нити. Лоскут предварительно внедряют межд...

Изобретение относится к области медицины, а именно к оториноларингологии, и может найти применение при измерении площади зияющих дефектов трахеи. Способ заключается в установке метрической шкалы на уровне дефекта, фотографировании дефекта и определении его размеров путем анализа полученных данных на компьютере. При этом в качестве метрической шкалы используют метку, выполненную из самоклеющейся...

Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной...

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Технический результат - уменьшение удельного сопротивления омических контактов и упрощение процесса изготовления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, чт...

Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Омический контакт формируют путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием ф...