ЛИ Ся (US)
Изобретатель ЛИ Ся (US) является автором следующих патентов:
Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи
Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) запи...
2453934Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом (варианты)
Изобретение может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих энергонезависимых устройств с высокой плотностью и малой мощностью. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом включает формирование канавки в подложке; нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой,...
2459317Способ формирования устройства на магнитных туннельных переходах
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении плотности информации в запоминающем устройстве без увеличения площади схемы каждой из MTJ-ячеек. Способ изготовления устройства на магнитных туннельных переходах, который включает в себя формирование канавки в подложке, осаждение проводящего контактного вывода внутри канавки и осаждение структуры с магн...
2461082Ячейка магнитного туннельного перехода, содержащая множество магнитных доменов
Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода. Техническим результатом является создание памяти с большой плотностью без увеличения контурной области каждой из ячеек MTJ. Магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом (MRAM) содержит: матрицу ячеек магнитного туннельного перехода (MTJ), причем каждая из ячеек MTJ содержит множест...
2463676Система и способ создания магнитной оперативной памяти
Настоящее изобретение относится к созданию магнитной оперативной памяти. Согласно изобретению предложен способ для выравнивания магнитной пленки во время ее осаждения. Способ включает в себя прикладывание первого магнитного поля вдоль первого направления в области, в которой находится подложка во время осаждения первого магнитного материала на подложку, причем магнитная пленка содержит первый маг...
2464672Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП...
2553087