ГЕТЦ Вернер К. (US)

Изобретение может быть применено в электронных или оптоэлектронных приборах. Прибор согласно изобретению содержит: III-нитридную структуру, содержащую: первый слой (22), причем этот первый слой практически не содержит индия; второй слой (26), выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; третий слой 22, расположенный между первым с...

Настоящее изобретение касается технологий выращивания и структур устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание III-нитридной структуры на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: структуру, содержащую: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, п...

Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, пр...