PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Лобанов Алексей Сергеевич (RU)

Изобретатель Лобанов Алексей Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения высокочистых теллуритных стекол

Способ получения высокочистых теллуритных стекол

Изобретение относится к волоконной оптике и к разработке способа получения высокочистых теллуритных стекол. Технический результат изобретения заключается в получении высокочистых теллуритных стекол и проведении процесса в условиях безопасной работы. Инициируют реакции окисления кислородом летучих соединений исходных компонентов в газовой фазе. В качестве исходных летучих соединений используют хло...

2455243

Способ получения высокочистых халькойодидных стекол

Способ получения высокочистых халькойодидных стекол

Изобретение относится к химии, а именно к производству высокочистых стекол, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводников, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах ближнего и среднего ИК-диапазона. Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения высокочистых халькойодид...

2579096

Плазмохимический способ получения халькогенидных стекол системы as-s и устройство для его реализации

Плазмохимический способ получения халькогенидных стекол системы as-s и устройство для его реализации

Изобретение относится к производству высокочистых халькогенидных стекол для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводниковых устройств. Изобретение позволяет исключить загрязнение получаемого халькогенидного стекла за счет неполного разложения исходных веществ, а также уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Способ получения халькогенидн...

2585479

Способ вакуумной очистки теллура от углеродсодержащих наноразмерных гетеровключений

Способ вакуумной очистки теллура от углеродсодержащих наноразмерных гетеровключений

Изобретение относится к плазмохимии. Может быть использовано при производстве полупроводниковых и оптических элементов для микроэлектроники, оптики и нанофотоники. Исходный теллур нагревают до температуры 600-680°С с получением газообразной фазы теллура. Взаимодействуют с помощью высокочастотного плазменного разряда в условиях неравновесной плазмы углеродсодержащие гетеровключения газообразной фаз...

2644213