PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ВИДРИГ Бено (CH)

Изобретатель ВИДРИГ Бено (CH) является автором следующих патентов:

Слоистая система с по меньшей мере одним слоем смешанных кристаллов многокомпонентного оксида

Слоистая система с по меньшей мере одним слоем смешанных кристаллов многокомпонентного оксида

Изобретение относится к слоистым системам, наносимым методом PVD, а именно дуговым испарением. Слоистая система содержит по меньшей мере один слой смешанных кристаллов многокомпонентного оксида состава (Ме11-хМе2х)2O3, где каждый из Ме1 и Ме2 означает по меньшей мере один из элементов Al, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb или V, и при этом элементы Ме1 и Ме2 отличаются друг от друга. При этом криста...

2456371

Способ осаждения электроизолирующих слоев

Способ осаждения электроизолирующих слоев

Изобретение относится к способам получения электроизолирующих слоев вакуумным нанесением покрытия. Согласно способу между по меньшей мере одним анодом и катодом дугового источника в содержащей реакционноспособный газ атмосфере осуществляют стабильный электрический дуговой разряд при приложении к поверхности мишени в основном перпендикулярного внешнего магнитного поля, которое имеет вертикальную с...

2461664

Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки

Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки

Изобретение относится к установке и способу плазменной вакуумной обработки. Обработку проводят в вакуумной камере (1), в которой размещены устройство для генерирования электрического низковольтного дугового разряда (15) (НВДР), носитель (7) изделия для приема и перемещения изделий (2) и по меньшей мере один ввод (8) для инертного и/или реакционного газа. НВДР состоит из катода (10) и анода (13),...

2472869

Способ изготовления обработанной поверхности и вакуумные источники плазмы

Способ изготовления обработанной поверхности и вакуумные источники плазмы

Изобретение относится к области плазменной обработки. При обработке поверхностей подложек или обрабатываемых деталей с помощью вакуумного плазменного разряда между анодом (9) и катодом (7) образуется и осаждается на анодной поверхности (21) твердое вещество (19), которое имеет более высокий удельный импеданс по постоянному току, чем удельный импеданс по постоянному току материала анода. По меньше...

2479885

Искровое испарение углерода

Искровое испарение углерода

Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора. Между импульсами имеются временные интервалы отключения, в течение которых не протекает ток искрового разряда. В течение импульса, то есть в течение временны...

2594022