Аристов В.В.

 Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полност...

  Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к СВЧ - плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при давлениях ниже атмосферного, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования собственных диэлектриков (анодирования) на полупроводниках и металлах. Целью изобретения является повышение эффективности обра...

 Рентгеновский сканирующий микроскоп, содержащий источник рентгеновского излучения, конденсорную зонную пластинку, диафрагму, систему механического сканирования исследуемого объекта, микрозонную пластинку, систему сканирования рентгеновского излучения, пропорциональный счетчик, процессор и монитор, отличающийся тем, что, с целью улучшения пространственного разрешения и точности сканировани...

 Использование: изучение процессов формирования слабых искажений кристаллической структуры поверхностных слоев. Сущность изобретения: измеряют угловую зависимость дифрагированной волны от монокристаллического образца с периодическими нарушениями поверхностного слоя на двухкристальном рентгеновском дифракторе , у которого отношение размера f фокуса источника к расстоянию от источника до обр...

 Использование: в технике термообработки материалов в электромагнитных полях. Сущность : способ включает укладку древесины на оснастке в рабочей камере путем формирования волноводов от не менее одного СВЧ - генератора. Способ обеспечивает электромагнитную обработку с низкими энергозатратами и в течение короткого времени. При этом древесина сохнет равномерно, не трескается. 1 ил. Изобретени...

 Устройство для электромагнитной обработки сыпучих материалов может применяться для нагрева и сушки сыпучих продуктов химической промышленности, в частности для сушки полимерных гранул, служащих исходным сырьем при штамповке изделий. Предлагаемое изобретение позволяет получить равномерно высушенный сыпучий материал с низкой влажностью при низких энергозатратах в простом по конструкции и на...

 Использование: в технике термообработки материалов в электромагнитных полях, а также для нагрева и сушки изделий химической, лесоперерабатывающей промышленности, в частности для сушки досок различных размеров. Сущность: устройство для электромагнитной обработки древесины включает термоизолированную рабочую камеру с дверью и расположенной внутри оснасткой, выполненной с возможностью укладк...

 СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении вол...

 Изобретение относится к технике термообработки материалов в электромагнитных полях и может быть использовано для нагрева и сушки изделий химической, лесоперерабатывающей промышленности, в частности для сушки досок различных размеров. Способ сушки материалов, преимущественно древесины, включает укладку обрабатываемого материала в рабочую камеру в форме клина, который располагают так, что э...

 Устройство для СВЧ-сушки сыпучих материалов содержит СВЧ-генератор, сочлененный с прямоугольным волноводом, и узлы загрузки и выгрузки, соединенные с камерой нагрева из прозрачного для СВЧ-энергии материала, сопряженной с широкой стенкой прямоугольного волновода, в месте сопряжения коаксиально камере вне ее установлены два круглых волновода, диаметры которых не превышают размера широкой с...

 Использование: при разработке технологии травления кремнийсодержащих слоев в производстве твердотельных микроэлектронных приборов. Сущность изобретения: способ плазмохимического травления кремнийсодержащих материалов включает травление через полимерную резистивную маску плазмообразующей смесью, содержащей гексафторид серы (SF6), четыреххлористый углерод (CCl4), ацетон (C3H6O2) и аргон (Ar...

 Устройство для СВЧ-плазменной обработки материалов относится к области плазмохимии и может быть использовано в микроэлектронной промышленности в производстве интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов при травлении и осаждении материалов и выращивании собственного диэлектрика на полупроводниках и металлах. Технический результат - повышение эффективности использования СВЧ-эн...

 Способ карбонизации древесной массы относится к производству активного угля и органических продуктов из углеродсодержащего сырья и может быть использовано в деревообрабатывающей промышленности для утилизации древесных отходов. Способ карбонизации древесной массы включает ее термическую обработку в обедненной кислородом атмосфере, новым является то, что термическую обработку проводят в пуч...

 Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок с включениями кристаллической фазы на металлические поверхности с малым радиусом кривизны и может найти применение при изготовлении различных инструментов, в частности, для использования в медицине. Способ включает синтез в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи или на нагретой ИК- излучением...

 Изобретение относится к способу формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа. Заключается в нанесении исходного материала на зонд кремниевого кантилевера, формировании сфокусированного электронного пункта в непосредственной близости от зоны начала формирования роста сенсорного элемента и управлении ростом острия посредством перемещения зонда относительно фокуса элект...