PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Марков Е.В.

Изобретатель Марков Е.В. является автором следующих патентов:

Прибор для проверки шестерен

Прибор для проверки шестерен

  № 84109 Класс 42Ь, 26ю СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Е. В. Map!(on ПРИБОР ДЛЯ ПРОВЕРКИ ШЕСТЕРЕН Заявлено 5 марта 1949 г. Яа X 9907-11 в Комитет но нводрстениям и открытиям нри Совете Л1ннистров СССР Известны t!pkt00plè . (. Is! Онтро. я мГноьснных пс реда точнь1х ОтнОшений двух шестерен посредством применения параллельной фрикционной передачи с тангеп...

84109

Прибор для контроля профилей лопаток турбомашин и поверхностей других подобных изделий

Прибор для контроля профилей лопаток турбомашин и поверхностей других подобных изделий

  М 115734-, Гр. 164 Класс 42Ь, 2600 42Ь1 1202 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Е. В. Марков, Б. И. Кабак, H. H. Деплоранский и Г. И. Сысоев ПРИБОР ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОФИЛЕЙ ЛОПАТОК ТУРБОМАШИН И ПОВЕРХНОСТЕЙ ДРУГИХ ПОДОБНЫХ ИЗДЕЛИЙ Заявлено 9 ноября 1954 г. за № 13396/576583 Приборы для контроля профилей лопаток с использованием групп контактных штифтов, размещен...

115734

Устройство осаждения слоев из газовой фазы

Устройство осаждения слоев из газовой фазы

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран,...

2014670

Способ выращивания полупроводниковых соединений

Способ выращивания полупроводниковых соединений

 Использование: в технологии получения соединений A3B5 осаждением из газовой фазы. Сущность изобретения: при выращивании кристаллов в ампулу дополнительно вводят транспортный агент и процесс ведут при температуре источника на 100 - 600°С ниже температуры плавления соединения, температуре затравки на 5 - 100°С ниже температуры источника и давлении легколетучего компонента в диапазоне от рав...

2023770

Устройство осаждения слоев из газовой фазы

Устройство осаждения слоев из газовой фазы

 Использование: для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждение диэлектрических слоев и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит кварцевый реактор с внешним излучателем и подложкодержателем в виде вертикально установленной воронки с гнездом на верхнем торце для размещения пласт...

2053585


Бокс для работы с доставляемыми с борта орбитальной станции на землю образцами

Бокс для работы с доставляемыми с борта орбитальной станции на землю образцами

 Использование: космическая технология в области народного хозяйства, где производится манипулировние с объектами, изолируемыми от внешней среды. Сущность изобретения: бокс содержит корпус 1, оболочка которого выполнена в виде эластичного влагогазонепроницаемого прозрачного чулка, а также герметизирующие элементы 2, 3, 4 - часть из которых (или все) выполнены в виде разъемных зажимных прис...

2088499