Куценогий Л.К.

 Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает сокращение времени ремонтных работ. Устройство содержит охлаждаемую камеру с тиглем и нагревателем. В нижней части камеры размещен сливной патрубок, соединенный с емкостью для сбора пролитого расплава, установленной вне камеры. Емкость имеет предохранительную мембрану. 1 ил. Изобретение относится к оборудова...

 Изобретение относится к получению полупроводниковых монокристаллов. Устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравку содержит камеру, размещенные в ней затравкодержатель с затравкой, узел отрыва выращенных кристаллов и узел их хранения, причем узел отрыва кристаллов выполнен в виде кулачка с выступами, число которых равно числу выращиваемых монокристаллов, привода...

 Изобретение относится к области получения полупроводников. Устройство для выращивания монокристаллов методом Чохральского содержит плавильную камеру, тигель, нагреватель, затравкодержатель на гибкой подвеске и узел гашения колебаний, причем узел гашения колебаний выполнен в виде двуплечего рычага, на одном плече которого выполнена прорезь, на другом помещен груз, и установленного в верхне...

 Изобретение относится к оборудованию для получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в установках для выращивания монокристаллов на затравку, например, кремния методом Чохральского. Устройство содержит камеру роста 1 с тиглем 2, разделенную горизонтальной перегородкой 3 с центральным отверстием 4 на нижнюю 5 и верхнюю 6 части, затравкодержатель 7, кассету 8 с гнездами...

 Использование: изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного материала для выращивания монокристаллов кремния. Сущность изобретения: установка включает в себя разъемный реактор, вертикальную стойку, контейнер, подъемник, систему подачи компонентов, транспортировочную тележку. Верхняя часть реакто...