Сивак В.М.

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области колле...

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем управления стабилизацией тока. Мощный планарный транзистор содержит коллектор-подложку, область базы с высоколегированной периферийной областью, область эмиттера, диффузионные рез...

 Изобретение относится к способам получения конфигурации кремнийсодержащих слоев, преимущественно силицидов тугоплавких металлов и кобальта, и может быть использовано, в частности, при изготовлении полупроводниковых приборов, например токопроводящих систем интегральных схем и тонкопленочных резисторов с положительным ТКС для СВЧ-транзисторов, транзисторных сборок и гибридных схем. Способ п...