Мощный планарный транзистор

Мощный планарный транзистор

Реферат

 

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположным типу проводимости коллектора. Дополнительные области расположены под контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, отделены от них диэлектрическим покрытием и имеют глубину, не менее глубины пассивной части базовой области. Согласно изобретению уменьшается емкость металлизации транзистора. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным планарным транзисторам, работающим в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. На чертеже показан предлагаемый транзистор, поперечный разрез. Транзистор содержит коллектор 1, область 2 базы, область 3 эмиттера, дополнительные области 4, диэлектрическое покрытие 5 и металлизации 6. Введением дополнительных областей в биполярный мощный транзистор вносится дополнительная емкость, суммируясь с емкостью металлизации по правилу сложения емкостей, дает в результате пониженную емкость. Емкость металлизации транзистора снижается в 2,7 раза, что позволяет увеличить выходной импеданс полупроводникового прибора на 30-40%, а следовательно, и коэффициент усиления по мощности.

Формула изобретения

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на расстоянии не менее удвоенное ширины области пространственного заряда коллекторного перехода при максимально допустимых напряжениях на нем.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 13.04.1995

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2002

Извещение опубликовано: 27.12.2002