Жильцов В.И.

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области колле...

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем управления стабилизацией тока. Мощный планарный транзистор содержит коллектор-подложку, область базы с высоколегированной периферийной областью, область эмиттера, диффузионные рез...

 Использование: в полупроводниковых приборах, в частности в способах изготовления полупроводниковых компонентов СВЧ-широкополосных мощных транзисторных микросборок с согласующими LC-цепями. Сущность изобретения: способ включает формирование на кремневой пластинке активных областей компонента с локальными изолирующими слоями диэлектрика, создание двуслойного диэлектрика двуокиси кремния и н...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок. Сущность изобретения: в СВЧ-транзистоpной микросборке, включающей первый полупроводниковый кристалл с транзисторными структурами, второй полупроводниковый кристалл с МПД-конденсатором и встроенным резистором и группу проволочных перемычек, соединяющ...