Нагорный С.С.

  Использование: при изготовлении интегральных схем. Сущность изобретения: способ включает осаждение пленки нитрида кремния в условиях ВЧ-разряда при комнатной температуре. Способ позволяет предотвратить рост шипов. Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение...

  Изобретение может быть использовано при изготовлении подзатворных, межслоистых и пассивирующих покрытий для многоуровниевых сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: тонкую пленку диоксида кремния получают окислением дихлорсилана, причем реакцию проводят в квазистатических условиях при однократном воспламенении, а пламя инициируют удаленным из подложки импульсным локальным ис...

  Изобретение может быть использовано при изготовлении межслоистых и пассивирующих покрытий для многоуровниевых сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: тонкие пленки диоксида кремния получают окислением дихлорсилана в тлеющем разряде постоянного тока. Способ позволяет получать пленки при комнатной температуре. Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к по...

 Использование: микроэлектроника, получение тонких диэлектрических покрытий при изготовлении сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ получения тонких диэлектрических покрытий, включает возбуждение с помощью индуктора ВЧ-разряда с плотностью мощности не выше 0,7 Вт/см3 в газовой смеси, содержащей либо SiCl4, либо карбонилы металлов в смеси и/или аммиаком при общем давле...

 Использование: в технологии микроэлектроники. Сущность изобретения: в предложенной установке рабочую зону ограждают двумя проводящими сетчатыми электродами, расположенными над или между обрабатываемыми образцами, при этом сетки имеют форму и размеры, что и держатели подложек. 2 ил. Изобретение относится к технологии микроэлектроники, точнее к технологии осаждения диэлектрических пленок, н...