PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Соколов Л.В.

Изобретатель Соколов Л.В. является автором следующих патентов:

Пневматическое приспособление к токарному станку для зачеканки ножей в пазах ножевого вала кожевенных машин

Пневматическое приспособление к токарному станку для зачеканки ножей в пазах ножевого вала кожевенных машин

  .)% 110ь28 Класс 49d 16»., СССР ОПИСАНИК ИЗОЬ Кт1=НИЯ К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Б. А. Стенин и Л. В. Соколов П Н ЕВ МАТ И Ч ЕСКОЕ П РИ С ПОСОБЛЕ Н И Е К ТОКАРНОМУ СТАНКУ ДЛЯ ЗАЧЕКАНКИ НОЖЕЙ В ПАЗАХ НОЖЕВОГО ВАЛА КОЖЕВЕННЫХ МАШИН Зая))яено 25 арта 1.156 г. аа ¹ 22)).:116 676Ы!1 H Цнннога;1с;ао..1ашнностроенна СССР 3 а1 -1 е к а и к >1 н 0 ж с и и а . i1 с 3 д р», l hныс, воло...

110528

Устройство для закрепления полупроводниковых пластин

Устройство для закрепления полупроводниковых пластин

 Устройство для закрепления полупроводниковых пластин, содержащее основание с токоподводами и с элементами фиксации полупроводниковой пластины и хвостовик, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, оно снабжено элементами разъемного соединения хвостовика и основания в виде выполненных в основании фигурных пазов и фигурных штифтов, установленных на хвостовике...

1414233

Способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии"

Способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии"

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, сушку в атмосфере кислорода...

2123218

Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе"

Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе"

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого сл...

2125323

Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении

Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении

 Изобретение относится к микромеханике, преимущественно к технологии изготовления микропрофилированных интегральных механоэлектрических тензопреобразователей, и может быть использовано при разработке и производстве интегральных датчиков механических величин или микроэлектромеханических систем, содержащих трехмерные кремниевые микроструктуры. Сущность изобретения заключается в защите углов...

2220475