Мясников А.М.

 Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

 Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

 Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в п...

 Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть...

 Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и пров...

 Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менее где W - плотность энерг...

 Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов, в частности в процессах легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Сущность: способ включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600 - 1350oC и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига...

 Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках CdxHg1-xTe включает в себя химическую полировку в бромном травителе, промывку поверхности в органически...