Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии

Реферат

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менее где W - плотность энергии импульса, Дж/см²; ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см; R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм; d - толщина пластины, мкм.