PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Приходько П.С.

Изобретатель Приходько П.С. является автором следующих патентов:

Магнитоуправляемая логическая ячейка

Магнитоуправляемая логическая ячейка

 Использование: микроэлектроника, магнитоуправляемые интегральные схемы, ячейки памяти. Сущность изобретения: магнитоуправляемая логическая ячейка содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, восемь легированных областей второго типа проводимости, попарно образующих стоковые и истоковые области четырех полевых транзисторов, диэлектрическую пленку на поверхности подложки с...

2072590

Выходная схема с тремя состояниями

Выходная схема с тремя состояниями

 Область применения: может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники. Цель изобретения: выходная схема с тремя состояниями содержит: транзисторы 1 - 5, диод Шоттки 6, резисторы 8, 7. 2 с.п. ф-лы, 4 ил. Изобретение относится к выходным схемам с тремя состояниями, ТТЛ типа. Известно решение выходной схемы с тремя состояниями (Н.М. Соломатин.Логические элементы ЭВМ....

2072629

Электролюминесцентное устройство и способ его изготовления

Электролюминесцентное устройство и способ его изготовления

 Использование: в электронной технике, в частности для электролюминесцентных экранов, индикаторов, светодиодов и т.д. Сущность: ЭЛУ состоит из электронного инжектирующего слоя из сплава на основе алюминия, активного люминесцентного слоя из поли(2-метокси-5-(2'-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилена), дырочного транспортного слоя на основе р-допированного полианилина и дырочного инжектирующего...

2123773

Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник

Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного...

2130668

Структура биполярного транзистора в составе бикмоп ис

Структура биполярного транзистора в составе бикмоп ис

 Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий поле...

2210838