PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Царева Л.Г.

Изобретатель Царева Л.Г. является автором следующих патентов:

Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

 Использование: герметизация полупроводниковых приборов средней и большей мощности. Сущность изобретения: термореактивная пластмасса содержит эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и наполнитель, в качестве которого используют смесь порошков кварцевого песка и синтетического алмаза. 3 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводнико...

1780469

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

 Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для испо...

2022396

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

 Использование: для защиты p-n-переходов приборов, работающих в условиях отвода тепла при больших токах. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности компаунда достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; гексагональный нитрид бора 25; толуол 5. 1 табл. Изобретение отно...

2022397

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

 Использование: в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий при работе в режиме больших токов. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем введения в состав композиции сфалеритного нитрида бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; сфалеритный нитрид бора 25. 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и п...

2022398

Способ изготовления биполярного вч n-p-n-транзистора

Способ изготовления биполярного вч n-p-n-транзистора

 Использование: технология микроэлектронных устройств. Сущность: в процессе изготовления биполярных ВЧ n-p-n-транзисторов после создания активных областей и формирования омических контактов проводят имплантацию ионов фосфора с энергией 100 20 кэВ постимлантационный обжиг и пассивацию структур. 1 ил. Изобретение относится к технологии микроэлектронных устройств. В [1] показано, что при бом...

2025824


Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией

Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией

  Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристалла используют компаунд, состоящий из роливсана и ароматических растворителей. Отверждение компаунда осуществляют при 120 - 250°С в течение 5 - 7 ч. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к защите поверхности кри...

2036538

Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

 Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристаллы используют композицию при следующем соотношении компонентов, в %: роливсан 90 - 94, малеиновый ангидрид 2 - 3, ароматические растворители 4 - 7. Отверждение ведут путем термообработки при Т = 190 - 210oC в течение времени, равном 20,1 ч. В качестве ароматических растворителей используют соединения из ряда, включающего бензол, т...

2069027

Компаунд для защиты р-n переходов

Компаунд для защиты р-n переходов

 Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводнико...

2101802