Царева Л.Г.
Изобретатель Царева Л.Г. является автором следующих патентов:
![Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем](/img/empty.gif)
Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем
Использование: герметизация полупроводниковых приборов средней и большей мощности. Сущность изобретения: термореактивная пластмасса содержит эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и наполнитель, в качестве которого используют смесь порошков кварцевого песка и синтетического алмаза. 3 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводнико...
1780469![Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов](/img/empty.gif)
Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для испо...
2022396![Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов](/img/empty.gif)
Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
Использование: для защиты p-n-переходов приборов, работающих в условиях отвода тепла при больших токах. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности компаунда достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; гексагональный нитрид бора 25; толуол 5. 1 табл. Изобретение отно...
2022397![Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов](/img/empty.gif)
Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
Использование: в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий при работе в режиме больших токов. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем введения в состав композиции сфалеритного нитрида бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; сфалеритный нитрид бора 25. 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и п...
2022398![Способ изготовления биполярного вч n-p-n-транзистора Способ изготовления биполярного вч n-p-n-транзистора](/img/empty.gif)
Способ изготовления биполярного вч n-p-n-транзистора
Использование: технология микроэлектронных устройств. Сущность: в процессе изготовления биполярных ВЧ n-p-n-транзисторов после создания активных областей и формирования омических контактов проводят имплантацию ионов фосфора с энергией 100 20 кэВ постимлантационный обжиг и пассивацию структур. 1 ил. Изобретение относится к технологии микроэлектронных устройств. В [1] показано, что при бом...
2025824![Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией](/img/empty.gif)
Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией
Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристалла используют компаунд, состоящий из роливсана и ароматических растворителей. Отверждение компаунда осуществляют при 120 - 250°С в течение 5 - 7 ч. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к защите поверхности кри...
2036538![Способ изготовления полупроводникового прибора Способ изготовления полупроводникового прибора](/img/empty.gif)
Способ изготовления полупроводникового прибора
Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристаллы используют композицию при следующем соотношении компонентов, в %: роливсан 90 - 94, малеиновый ангидрид 2 - 3, ароматические растворители 4 - 7. Отверждение ведут путем термообработки при Т = 190 - 210oC в течение времени, равном 20,1 ч. В качестве ароматических растворителей используют соединения из ряда, включающего бензол, т...
2069027![Компаунд для защиты р-n переходов Компаунд для защиты р-n переходов](/img/empty.gif)
Компаунд для защиты р-n переходов
Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводнико...
2101802