Носухин С.А.
Изобретатель Носухин С.А. является автором следующих патентов:
Способ изготовления теплоперехода
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических генераторов и холодильников, а также полупроводниковых приборов, используемых в электронной и радиотехнической промышленности. Целью изобретения является снижение термического сопротивления и улучшение диэлектрических свойств теплоперехода. В способе изготовления теплоперехода,...
1649978Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем
Использование: герметизация полупроводниковых приборов средней и большей мощности. Сущность изобретения: термореактивная пластмасса содержит эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и наполнитель, в качестве которого используют смесь порошков кварцевого песка и синтетического алмаза. 3 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводнико...
1780469Полупроводниковая электротепловая линия
Использование: в полупроводниковой технике в качестве функционального элемента для решения задач комплексной микроминиатюризации устройств низкочастотной электроники (фильтров, линий задержек и др.), что позволяет исключить применение трансформаторов, конденсаторов большой емкости, катушек с большой индуктивностью. Цель: уменьшение габаритных размеров и улучшение частотной характеристики...
1797422Компаунд для защиты р-n переходов
Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводнико...
2101802Способ получения монокристаллов алмаза
Использование: получение искусственных алмазов. Сущность изобретения: монокристаллы алмаза получают в аппарате высокого давления методом температурного градиента, предварительно насыщая металл-катализатор углеродом таким образом, чтобы при заданной скорости подъема температуры в реакционной зоне для выбранного сплава-растворителя затравка, на которой растет кристалл, предварительно раство...
2108289