Дульцев Ф.Н.

 1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс...

 Использование: технология получения полупроводниковых приборов, производство твердотельных газовых датчиков диоксида серы. Сущность изобретения: модифицированные слои диоксида кремния получают в изотермических условиях в присутствии паров органических соединений, содержащих аминогруппы. Слои могут быть сформированы и модифицированы одновременно при температуре 120-200oC. общем давлении 0,...