PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Крячков В.А.

Изобретатель Крячков В.А. является автором следующих патентов:

Способ изготовления теплоперехода

Способ изготовления теплоперехода

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических генераторов и холодильников, а также полупроводниковых приборов, используемых в электронной и радиотехнической промышленности. Целью изобретения является снижение термического сопротивления и улучшение диэлектрических свойств теплоперехода. В способе изготовления теплоперехода,...

1649978

Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Термореактивная пластмасса для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

 Использование: герметизация полупроводниковых приборов средней и большей мощности. Сущность изобретения: термореактивная пластмасса содержит эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и наполнитель, в качестве которого используют смесь порошков кварцевого песка и синтетического алмаза. 3 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводнико...

1780469

Полупроводниковая электротепловая линия

Полупроводниковая электротепловая линия

 Использование: в полупроводниковой технике в качестве функционального элемента для решения задач комплексной микроминиатюризации устройств низкочастотной электроники (фильтров, линий задержек и др.), что позволяет исключить применение трансформаторов, конденсаторов большой емкости, катушек с большой индуктивностью. Цель: уменьшение габаритных размеров и улучшение частотной характеристики...

1797422

Способ изготовления полупроводникового терморезистора

Способ изготовления полупроводникового терморезистора

 Использование: изобретение относится к области электронной техники, в частности полупроводниковым терморезисторам. В способе изготовления полупроводникового терморезистора сначала выращивают термочувствительный элемент из монокристалла синтетического полупроводникового алмаза. Затем на нем как на затравке наращивают вокруг всего полупроводникового алмаза тонкий изолирующий слой синтетичес...

2084032