Соколов И.А.

  Я l.74 8 Класс -""»1K, 1801 ! ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ С. М. Рывкин, Н. М. Рейнов, А. В. Коган, П. И. Малеев Н. А. Витовский и И. A. Соколов СПОСОБ СЧЕТА ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯД(ЕННЫХ ЧАСТИЦ ПОДУЛ РОВОДН ИКОВЫМ СЧЕТЧ И КОМ Заявлено 12 февраля 1958 г. за № 591998/26 в Комитет по делам изобретений и oTK;)blTHH при Совете Министров СССР Известные способы...

 1. Устройство для регулирования процесса ионного азотирования металлических деталей в тлеющем разряде, содержащее емкость с газом, вакуумную камеру, подсоединенную к указанной емкости трубопроводом с установленным в нем редуктором давления, вакуумный насос, электропневматические краны, сигнализатор давления и регуляторы температуры и напряжения, отличающееся тем, что, с целью обеспечения...

 Способ определения толщины покрытия, преимущественно, в процессе ионного азотирования путем измерения лучистой энергии в процессе получения покрытия, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, определяют толщину покрытия путем измерения изменения интенсивности инфракрасного излучения детали при постоянной температуре насыщения.

 Изобретение относится к металлургии, в частности к производству высокопрочной стали, предназначенной для валов, устьевых штоков и другого нефтяного оборудования. Цель изобретения - повышение предела текучести, износостойкости и коррозионной стойкости стали. Повышение указанных характеристик достигается дополнительным легированием стали медью, ниобием и стронцием. При этом сталь имеет след...

 Сплав на основе диборида хрома для поверхностного упрочнения деталей, содержащий окись алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости деталей, он дополнительно содержит феррованадий азотированный и карбид ванадия при следующем соотношении компонентов, мас.%: Окись алюминия2,0-5,0 Феррованадий азотированный 1,0-1,5Карбид ванадия 2,0-2,5Диборид хрома Остальное

  Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников. Цель изобретения повысить чувствительность способа. Согласно изобретению исследуемый восокоомный полупроводник освещают интерференционной картиной, сформированной опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света. Причем фазовую модуляцию осуществляют на двух частотах f и f1 а величину частоты f1 выбираю...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников. Целью изобретения является одновременное определение средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок и отношения электронной и дырочной фотопроводимостей полупроводников с биполярной фотопроводимостью. Образ...

 Способ двухручьевой прокатки арматурной стали, включающий последовательное формирование в ряде калибров двухручьевого раската в виде сочлененных по диагонали прямоугольных профилей, формирование на их гранях продольных локальных утолщений, в поперечном сечении имеющих вид сегмента, продольное разделение профилей и последующую двухниточную прокатку в чистовых калибрах, отличающийся тем, чт...

  Сущность: в корпусе установлена конусная разрезная втулка, в которой размещены напорная и рабочая волоки. Во втулке выполнены две глухие прорези, встречно направленные друг к другу с перекрытием, открытые к противоположным торцам втулки. Длины прорезей от торцов втулки равны соответственно 0,2 - 0,9 и 0,9 - 0,2 длины рабочей волоки, а расстояние между прорезями определяется из приведенно...

 Сущность изобретения: оправку перемещают по каналу трубы с переменной скоростью путем воздействия на торец оправки жидкости высокого давления. При снижении скорости оправки ниже значения, определяемого условием ее заклинивания в трубе, производят переключение действия жидкости высокого давления на противоположный торец оправки. Установка содержит корпус с оправкой, два устройства для фикс...

 Использование: для изготовления колючей проволоки, применяемой на открытом воздухе. Сущность изобретения: колючая проволока содержит рифленую основу, выполненную из низколегированной атмосферостойкой стали, и равномерно расположенные на ней шипы, изготовленные из малоуглеродистой проволоки с цинковым покрытием. 1 ил. Изобретение относится к метизному производству, к конструкции изделий из...

 Изобретение относится к обработке металлов давлением и может быть использовано для калибровки канала топливопровода высокого давления дизеля. Оправка для калибровки канала трубопровода содержит входную часть в виде конуса с острым углом в направлении движения, ряд формообразующих ступеней с кольцевыми канавками /К/ между ними, направляющую часть, выполненную в виде цилиндра, пристыкованно...

 Изобретение предназначено для котельных малой мощности, работающих в системах отопления и горячего водоснабжения. Водогрейный котел содержит топку с задним, потолочным и боковыми обрамляющими экранами и конвективные экраны, установленные в конвективных газоходах, отделенных от топки перегородками. Трубы всех экранов соединены с соответствующими коллекторами, при этом коллекторы конвективн...

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекуляр...

 Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содер...

 Использование: полупроводниковые приборы: светодиоды, лазерные диоды, биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в эпитаксиальной полупроводниковой структуре нитридов элементов группы А3 на кристаллической подложке между р-слоем и внешним металлическим контактным слоем размещен слой полупроводникового соединения InAs р-типа. В полупроводниковом соединении InAs р-типа часть атомов In за...

 Использование в котлах, работающих в системах отопления и горячего водоснабжения. Сущность изобретения: отопительный котел содержит топочную камеру 1, заключенную в водяную рубашку 3, выполненную из труб с плавниками, соединенных с задним 6 и передним 7 коллекторами, установленными в торцах топочной камеры и снабженными перегородками. Водяная рубашка 3 соединена с дополнительной водяной р...

 Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN. Канальный слой выполнен из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1yx+0,1, на границе кана...