Способ счета отдельных заряженных частиц полупроводниковым счетчиком

Способ счета отдельных заряженных частиц полупроводниковым счетчиком

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Я l.74 8

Класс -""»1K, 1801 !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

С. М. Рывкин, Н. М. Рейнов, А. В. Коган, П. И. Малеев

Н. А. Витовский и И. A. Соколов

СПОСОБ СЧЕТА ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯД(ЕННЫХ ЧАСТИЦ

ПОДУЛ РОВОДН ИКОВЫМ СЧЕТЧ И КОМ

Заявлено 12 февраля 1958 г. за № 591998/26 в Комитет по делам изобретений и

oTK;)blTHH при Совете Министров СССР

Известные способы счета отдельных заряжечных частиц с помощью электронных приборов основаны на применении источников питания детектора излучения. Приложение внешнего напряжения к детектору создает шум в приборе и исключает возможность применения прибора в ряде исследований.

Отличительная особенность описываемого способа заключается и отсутствии источников питания. В качестведетектора используется фотодиод, который включается в схему в режиме вентильного фотоэлемента.

На чертеже приведена блок-схема способа счета отдельных заряженных частиц.

Схема содержит полупроводниковый фотодиод 1, нагрузочное сопротивление 2, усилитель 8, регистрирующий прибор 4, например, осциллограф. (5 — направление излучения заряженных частиц).

Возможность счета отдельных заряженных частиц фотодиодами без применения источников питания детектора следует из рассмотрения их вольт-амперных характеристик, которое показывает, что амплитуда импульсов должна увеличиваться с понижением температуры. Понижение температуры позволяет при.вменять ббльшее сопротивление нагрузки путем увеличения внутреннего сопротивления фотодиода и этим увеличить амплитуду импульса, а также облегч.ет ряд исследований, которые производятся при сверхнизких температурах.

Предмет изобретения

Способ счета отдельных заряженных частиц полупроводниковым счетчиком, отличающийся тем. что, с целью уменьшения шума детектора, отсутствует источник питания детектора излучения, а испольPIî j« 7428 зуетсч физическая осооеннссть и — р переходов, когда при попадании в полупроводник ионизируюп«ей частицы на переходе образуется импульс

1»» ., и напряжения Лр =- — —, где ф — ток через и — р переход, вызванный

1+

Rg актом ионизации, 90 — внутреннее сопротивление полупроводника, R — сопротивление нагрузки.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор И. С. Кутафина Гр. 97

Подл. к печ. 5.III-59 г.

Тираж 260 Цена 25 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем О,17 п. л. Зак. 12!3

Типография Комитета по делам изобретений и открытий гри Совете Министров СССР

Москза, Петровка, 14