Носков А.Г.

 Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где...

 Использование: полупроводниковая технология, для создания многократно используемых масок с самоформирующимся и самосовмещенным литографическим рисунком. Сущность изобретения: способ заключается в следующем: на поверхность твердого тела наносят двухслойную маску с заданными свойствами и с рисунком, формирующим в ней концентраторы механических напряжений, обрабатывают маску для генерации в...