Тагер А.С.

  М !08977 Класс 21а, 8п СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ A. С. Тагер и Л. А. Ривлин СПОСОБ ГЕНЕРИРОВАНИЯ КОЛЕБАНИЙ СВЕРХВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ Заявлено 2l декабря 1956 г. за ¹ 563080 в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Способы генерирования колебаний сверхвысокой частоты при помощи системы с длительным воздействием электромагнитного...

  ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹ 11л. 21а1, 71 21g, 18j01 Заявлено 03.111.1958 (№ 593441 26) с присоед1шением заявки _#_ Приоритет Опубликовано 17.XI.1966. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 31,XII.1966 МПК G Olr Н 05g УДK Комитет по делам изобретений и открытий при Совет...

  Хо 124035 Класс 21g, 13,т СССР 0Г1ЯСАНИЕ 8305PETEHl48 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подпасная группа ЛФ 82 В. А. Солнцев и А. С. Тагер МНОГОЛУЧЕВОЙ УСИЛИТЕЛЬ И ГЕНЕРАТОР СВ Ч-КОЛ ЕБА Н И И Заявлено 19 ноября 1957 г. за Лт 586284,26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Л 24 за 1962 г. Известны многолу...

  Класс 21g, 1317 № 125316 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М, b. Голант и А. С. Тагер МАЛОШУМЯЩИ Й ЭЛЕКТРОН НО-ЛУЧЕВОЙ УСИЛИТЕЛЪ СВЧ Заявлено 4 мая 1959 г. за А 626712/26 в Комитет по делам изобретении и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 1 за 1960 г. Предмет изобретения Малошумящий электронно-лучевой усилитель СВЧ,...

 (19)SU(11)605491(13)A1(51)  МПК 6    H01L29/86(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Изобретение относится к полупроводниковым диодам, предназначенным для умножения частоты. Умножители частоты на полупроводниковых диодах широко применяются для генерации электр...

 (19)SU(11)1118245(13)A1(51)  МПК 6    H01L29/812(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Одной из основных задач совр...

  Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Цель изобретения увеличение крутизны, линейности переходной характеристики, предельных частот усиления по току и по мощности, что достигается выполнением активного слоя из варизонного полупроводника, у которого максимальная энергия дна зоны пров...

  Изобретение относится к электронной технике, полупроводниковой электронике, СВЧ-полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение КПД и максимальной рабочей частоты резонансно-туннельного пролетного диода путем сокращения фазовой длины пакетов носителей заряда, инжектируемых в пролетный участок, что достигается тем, что по крайней...

  Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение отрицательного динамического сопротивления, КПД, полезной мощности и максимальной рабочей частоты туннельно-пролетного диода с резонансно - туннельной инжекцией носителей заряда, это достигается тем, что полупроводниковые слои...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в вычислительной технике и технике СВЧ. Цель изобретения увеличение быстродействия достигается тем, что по крайней мере один из потенциальных барьеров квантовой гетероструктуры, а именно барьер, ограничивающий потенциальную яму со стороны базового слоя, выполнен из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся...

 Изобретение относится к электронной технике, а именно к сверхпроводниковым туннельным диодам. Изобретение обеспечит повышение максимальной рабочей частоты и динамического диапазона сверхпроводникового туннельного диода (СТД), что достигается тем, что полупроводниковая прослойка между сверхпроводниковыми электродами выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по край...

 Применение: изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для генерации СВЧ-сигналов. Сущность изобретения: изобретение позволяет снизить фазовые (частичные) шумы генератора, что достигается тем, что активный слой полевого транзистора с барьером Шотки выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затво...

 Использование: измерение параметров активных приборов на СВЧ. Сущность изобретения: к центральному проводнику устройства с помощью pin-диодов подключены два неравных отрезка линии передачи, что позволяет упростить процесс измерения. 1 ил. Изобретение относится к измерительной технике, а именно к измерителям параметров активных приборов на СВЧ. При конструировании современных радиоприемных...

 Использование: в электронной технике, а именно в полупроводниковых датчиках температуры. Сущность изобретения: датчик содержит область однородного сопротивления и области низкого сопротивления с противоположным типом проводимости. Толщина области однородного сопротивления датчика выбрана из соотношения W=(0,7...2)L, где L - диффузионная длина носителей заряда в области однородного сопроти...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: изобретение обеспечивает улучшение линейности характеристик устройств на гетероструктурных полевых транзисторах и снижение модуляционных шумов этих устройств. В полевом транзисторе на гетероструктуре часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирую...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: в полевом транзисторе с затвором Шотки, выполненном на полуизолирующей подложке с неоднородно легированным активным слоем, часть активного слоя, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 0,08 мкм, выполнена с концентрацией легирующей примеси, большей 21017 см-3, и поверхностной плотностью этой примеси /1,3 - 2,5/ 1012 см-2,...

 Изобретение относится к электронной технике. Изобретение позволят снизить потери и увеличить добротность полоскового резонатора СВЧ, что достигается тем, что полосковый проводник и проводящий экран выполнены из брусков монокристаллического высокотемпературного сверхпроводника, которые закреплены на диэлектрической подложке с помощью диэлектрических пластин. 1 ил. Изобретение относится к э...