Мещеряков Н.Я.

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении p-канальных МДП интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП транзисторов. В кремниевой подложке формируют активные и полевые области, формируют подзатворный оксид кремния и буферные поликр...

 Использование: полупроводниковая технология, изготовление кремниевых интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевую подложку наносят слой нитрида кремния, вскрывают в нем окна под полевые области и проводят их противоинверсионное легирование. Затем проводят выращивание полевого оксида повышенной толщины, удаляют нитрид кремния и формируют активные области с использованием фоторези...

  Использование: микроэлектроника, для изготовления БИС КМОП, использующих в качестве межсоединений поликремниевые слои, легированные донорными примесями с целью повышения надежности и улучшения воспроизводимости. Сущность изобретения: способ включает формирование на кремниевой структуре, содержащей полевые и затворные области и первый уровень поликремниевых межсоединений, активных областе...

 Использование: для создания КМОП БИС на основе вентильных матриц с поликремниевыми затворами, легированными примесью n-типа. Сущность: на кремниевой подложке создают полевые поликремниевые слои и активные области двух типов проводимости, осаждают пиролитические слои оксида кремния и фосфоро-силикатного стекла. В слое стекла вскрывают контактные окна. Дополнительные контактные окна к облас...

  Использование: в микроэлектронике для изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой пластине формируют области карманов n-типа, полевой и затворный слои оксидов кремния и наносят слой поликремния. Легируют поликремний фосфором. Формируют маску фоторезиста с конфигурацией затворов n-канальных транзисторов и части поликремниевых межсоединений. Плазмохимически травят п...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления p-канальных МДП БИС с повышенным уровнем питающего напряжения. Сущность изобретения: при изготовлении структур p-канальных МДП БИС на кремниевую подложку наносят слои оксидан нитрида кремния, формируют маску на активных областях, проводят противоинверсионное легирование, выращивают слой полевого оксида кремния, формируют фоторезисти...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении больших интегральных КМОП-схем. Сущность изобретения: способ изготовления больших интегральных КМОП-схем включает легирование примесью первого типа проводимости полевых областей обоих типов проводимости, создание предварительного оксида кремния толщиной, не превышающей более чем в 1,5 раза толщину слоя нитрида кремния, а после создания вт...