Способ изготовления p-канальных мдп больших интегральных схем

Способ изготовления p-канальных мдп больших интегральных схем

Реферат

 

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении p-канальных МДП интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП транзисторов. В кремниевой подложке формируют активные и полевые области, формируют подзатворный оксид кремния и буферные поликремниевые области над каналами активных МДП транзисторов, одновременно с последними формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и вскрывают контактные окна. 3 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления р-канальных МДП интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов. На фиг. 1 показана структура интегральной схемы после формирования на кремниевой подложке 1 активных диффузионных областей 2, полевого 3 и затвоpного 4 оксида кремния. На фиг. 2 показана структура после формирования поликремниевого буферного слоя 5 над каналом активного МДП-транзистора и дополнительной поликремниевой области 6 над каналом паразитного МДП-транзистора. На фиг. 3 показана структура после осаждения слоя оксида кремния 7, его уплотнения, вскрытия контактных окон (в том числе на всей площади поликремниевого буферного слоя 5 над каналами активных МДП-транзисторов), формирования шин алюминиевой металлизации, в том числе шин 8 с повышенным потенциалом, шины 9 используются также в качестве затворов активных МДП-транзисторов. На кремниевой пластине 1 марки КЭФ 7,5 (III) формируют стандартным методом активные диффузионные области 2, полевой 3 и затворный 4 оксид кремния. Осаждают поликремниевый слой толщиной 0,5-0,6 мкм пиролизом моносилана при низком давлении и легируют этот слой диффузионным способом при 900^оС фосфором до поверхностного сопротивления 20-1000 Ом/кв. Фотолитографией и плазмохимическим травлением формируют конфигурацию областей буферного поликремниевого слоя 5 и дополнительных областей 6 над каналами отдельных паразитных транзисторов. Осаждают слой пиролитического оксида кремния 7 толщиной 0,4 мкм, уплотняют его при 1000^оС в течение 30 мин в кислороде и вскрывают контактные окна для подключения областей 6 и формирования алюминиевых затворов по всей площади буферного слоя 5. Напыляют сплав алюминия с кремнием толщиной 1,2 мкм и формируют из него шины алюминиевой металлизации, включающей шины 8 с повышенным потенциалом и шины 9 с более низким потенциалом, в том числе с потенциалом земли, и затворы активных МДП-транзисторов. Затем вжигают металлизацию и азот при 450^оС в течение 15 мин. Использование данного способа в производстве МДП БИС позволяет повысить величину порогового напряжения паразитных МДП-транзисторов на основной площади схемы примерно на 10 В за счет повышения толщины диэлектрического слоя на полевых областях с помощью слоя пиролитического оксида кремния. На счет формирования дополнительных поликремниевых областей над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, образованных шинами с повышенным потенциалом, величина порогового напряжения таких транзисторов повышается до величины по крайней мере большей 80 В.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке активных и полевых областей, формирование подзатворного оксида кремния, буферных поликремниевых областей над каналами активных МДП-транзисторов, вскрытие контактных окон, формирование алюминиевой разводки с образованием МДП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, одновременно с формированием буферных поликремниевых областей формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и вскрывают контактные окна в слое пиролитического оксида кремния.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000