Барабанов М.Ф.

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении p-канальных МДП интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП транзисторов. В кремниевой подложке формируют активные и полевые области, формируют подзатворный оксид кремния и буферные поликр...

 Использование: полупроводниковая технология, изготовление кремниевых интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевую подложку наносят слой нитрида кремния, вскрывают в нем окна под полевые области и проводят их противоинверсионное легирование. Затем проводят выращивание полевого оксида повышенной толщины, удаляют нитрид кремния и формируют активные области с использованием фоторези...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления p-канальных МДП БИС с повышенным уровнем питающего напряжения. Сущность изобретения: при изготовлении структур p-канальных МДП БИС на кремниевую подложку наносят слои оксидан нитрида кремния, формируют маску на активных областях, проводят противоинверсионное легирование, выращивают слой полевого оксида кремния, формируют фоторезисти...