Строкан Н.Б.

 Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней измене...

  Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений. Целью изобретения является улучшение разрешающей способности детектора. Цель достигается выполнением детектора в виде p+-n-n+ - структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+ - область контактов. При этом подложка выполнена с удельным сопротивлением 100 Oм cм3...

  Изобретение относится к технике регистрации ядерных излучений, в частности, рентгеновского излучения. Целью изобретения является повышение чувствительности за счет увеличения отношения пик - долина. Сущность изобретения основана на выявленной жесткой связи между скоростью дрейфового перемещения примесей в полупроводниках и происходящим при этом изменении степени компенсации материала, и...

 Диагностическое устройство. Использование: в медицинской технике для исследования злокачественных опухолей. Сущность изобретения: устройство содержит игловидный корпус из теплопроводного материала, в полости которого размещены полупроводниковый датчик бета - частиц и термодатчик, находящийся в тепловом контакте с корпусом. Датчик бета - частиц подключен к регистратору, термодатчик - к эле...