Кондрашов В.В.

 Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводник...

 Использование: микроэлектроника, изготовление мощных кремниевых транзисторов с пониженной степенью легирования эмиттерной области. Сущность изобретения: для изготовления мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования Ns<

 Использование: изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к конструкции вертикальных биполярных транзисторов с низким уровнем обратного тока и повышенной стабильностью параметров Iкэо и Iкэ Сущность: вертикальный биполярный транзистор содержит канальный ограничитель и пассивирующее покрытие, препятствующее попаданию подвижных зарядов в приповерхностную часть области...

 Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная о...

 Использование: конструкции полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, имеющего базовую область с повышенным радиусом кривизны. Сущность: полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя содержит в высокоомном слое первого типа проводимости по крайней мере одну базовую область второго типа проводимости с повышенным радиусом кривизны, состоящую из центральной подобласти с...

 Использование: изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции планарного полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя. Сущность: планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя содержит в высокоомном слое первого типа проводимости по крайней мере одну базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной обл...

 Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою, предназначенного, например, для работы в высоковольтных ключевых устройствах. Сущность: мощный биполярный транзистор с повышенной устойчивостью к вторичному пробою имеет эмиттер одной глубины и степени легирования и сложнолегированную...

 Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою. Сущность: мощный биполярный транзистор содержит в монокристаллической полупроводниковой подложке по крайней ней мере один слой первого типа проводимости, образующий коллекторную область, один слой второго типа проводимости, сопряженны...

 Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная о...

 Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения состоит из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная обла...

 Использование: микроэлектроника, изготовление мощных кремниевых транзисторов с высоким коэффициентом усиления по току и низким уровнем шума. Сущность изобретения: для изготовления мощного кремниевого транзистора с высоким коэффициентом усиления по току и низким уровнем шума, имеющего компенсированную эмиттерную область с пониженной плотностью центров рекомбинации, степенью легирования Ns&...

 Использование: микроэлектроника, изготовление мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования эмиттерной области. Сущность изобретения: при изготовлении мощного кремниевого транзистора. эмиттерная область которого имеет пониженную степень легирования Nsэ<

 Использование: микроэлектронике, изготовление полупроводниковых приборов с высоким напряжением пробоя. Цель изобретения - экономия полупроводниковых материалов и повышение процента выхода годных в процессе производства полупроводниковых приборов с высоким напряжением пробоя путем уменьшения ширины и степени легирования периферийной области базы полупроводникового прибора без уменьшения ее...

 Использование: микроэлектроника, конструкция кассеты для групповой диффузионной обработки полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: кассета для групповой диффузионной обработки полупроводниковых пластин содержит основание, на внутренней поверхности которого продольно расположены ребра с пазами для размещения пластин, причем пазы в ребрах доходят до основания кассеты, а в основании...