Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов

Реферат

 

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в цилиндрической части съемной крышки выполнена перегородка с отверстием диаметром d = 0,2D, причем отверстие диаметром d и отверстие для вывода газов расположены по разные стороны оси реактора.

Номер и год публикации бюллетеня: 11-1998

Код раздела: PC4A

(73) Новый патентообладатель:ТОО "Агентство недвижимости"

Извещение опубликовано: 20.04.1998