Королев А.Ф.

  :;.,г Збз;- 9;,. -- -1 аев 8М Ю« . Р— / «Ъ *= .Я 35645 .. АВТОРСКОЕ, СВВПЯЬСТВП НА ИЗОБРЕТЕИИЕ .", Ф Ф-- =;:- - - =::; =---;-.:---. -- О-H%=-C А Н И.Е устройства для-обрабогки горячей воВой-.бетоыных и=,железобмвиных ийделнй... K.авФрс ому свидетельству- А. Ф. Королева, заявленному 16 йаля1933.года-;-(спр. о -перв; 34 183558); — — =:-0 вьщаре авторского свыаетельства...

  Класс 82а, 20 СССР г11 682 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зарегистрировано в Бюро изобретений А. Ф. Королев СУШИЛКА ДЛЯ ТАБАКА С ВРАЩАЮЩИМСЯ БАРАБАНОМ компищепрогя СССР за № 4409 (342796) 0 апреля 1947 года Заявлено 12 февраля 1946 года в Нар Опубликовано 3 .й;фф Изобретение касается усовершенствования табачных сушилок с вращающимся барабаном, снабженным за...

  Класс 45h, 1 № 120987 СССР И16.; ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. И. Павленко, А. Ф. Королев, Г. В. Ламанов, А. А. Михайловский, А. П. Макаров и В. С, Краснов СПОСОБ БЕССТАНКОВОГО СОДЕРЖАНИЯ СВИНЕЙ Заявлено 8 декабря 1958 г. за № 614464, 30 в Комитет по делам изооретений и открытий при Совеге Мнпнстров СССР Опуоликовано в «Бюллетене изобретений» Л 13...

 Использование: производство полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: планарный p-n-переход имеет две области различного типа проводимости, причем p-n-переход имеет замкнутую конфигурацию. Вокруг внутренней области сформированы кольцевые зоны одинаковой с ней проводимости в виде соединенной с внутренней областью и развивающейся к периферии спирали с расстояниями между витками спир...

  Применение: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электр...

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базов...

  Область применения: электронная техника, в частности электронные приборы пролетного типа. Сущность изобретения: в способе взаимодействия электромагнитной волны с электронными пучками, в котором пучок пропускают внутри замедляющей структуры в виде полого цилиндра, на внутренней стенке которого нанесена многозаходная спиральная канавка с гладким вогнутым профилем, и возбуждают в замедляюще...

 Использование: в микроэлектронике, в конструкции биполярных транзисторов. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор содержит коллекторную область, базовую область, эммитерную область гребенчатой конфигурации, окруженную по всему периметру полосковой областью постоянной ширины того же типа проводимости, что и эмиттерная область, причем расстояние между эмиттерной областью и полоск...

 Использование: в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: базовая область создается стандартными процессами фотолитографии и диффузии сквозь маску определенной конфигурации, которая представляет собой систему защитных островков шириной не более 1,28 глубины залегания коллекторного p-n-перехода. Эмиттерная область создается диффузией в область, расположенную в...

 Использование: в полупроводниковой технике и в частности в конструкциях мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: в пространстве, заключенном между краем эмиттера и базовым контактом, создается сильнолегированная базовая область таким образом, что расстояние от края эмиттера до границы сильнолегированной базовой области уменьшается в на...

 Использование: микроэлектроника, биполярные транзисторы с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: транзистор содержит коллекторную область, имеющую первый тип проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область гребенчатой конфигурации первого типа проводимости. В области базы выполнена полосковая область одинаковой ширины такого же типа прово...

 Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости, полевой транзистор. Сток полевого транзистора соединен с базовой областью, а исток...

 Изобретение относится к области автоматического управления, в частности к цифровым системам регулирования, где в качестве сигналов задания и обратной связи необходимы сигналы в виде цифровых кодов, а в качестве задающих устройств и датчиков обратной связи используются устройства, выходной параметр которых формируется в виде переменного напряжения, амплитуда которого является функцией изме...