Шуман В.Б.

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социааистинеских Республик (») 197683 (61)Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 28.05.66 (21) 1078866/26-25 с присоединением заявки №(23) Приоритет (43) Опубликовано 25. 10. 75 Бюллетень № 39 (45) Дата опубликования описания 10.03.76 (51) М. Кл. Н 04 tl, 5/30 Государственный квинтет Совета йнннстров СССР...

 Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых приборов с лавинным пробоем, в частности для ограничительных диодов. Цель изобретения - устранение разрушения прибора в процессе измерений за счет обеспечения неразрушающего контроля однородности лавинного пробоя диодов и возможности диагностики диодов, лавинный пробой котор...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя. Цель изобретения - повышение быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока. Шлифованную поверхно...

 Использование: изобретение может быть использовано при производстве кремниевых высоковольтных приборов и микросхем. Сущность: формируют активные и пассивные элементы структуры, проводят высокотемпературную обработку при температуре 1000 - 1250°С, затем проводят низкотемпературную обработку в два этапа: температуру первого этапа задают равной 800 - 950°С и проводят обработку в течение врем...