Сканистор
Патент 197683
Авторы
Классы МПК
Сканистор
Иллюстрации
Реферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социааистинеских
Республик (») 197683 (61)Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 28.05.66 (21) 1078866/26-25 с присоединением заявки №(23) Приоритет (43) Опубликовано 25. 10. 75 Бюллетень № 39 (45) Дата опубликования описания 10.03.76 (51) М. Кл.
Н 04 tl, 5/30
Государственный квинтет
Совета йнннстров СССР оо делам нзобретеннй н открытий (63) УДК
621.385.832 (088.8) (72) Авторы изобретения
К. Ф. Берковская и В. Б. Шуман
< "- ОЮЗА jf -%в.аеЩЕЕеартдв
5 " ЮЯР >.л (71) Заявитель
Физико-технический институт АН СССР (54 ) СКАНИСТОР
Изобретение относится к области без- вакуумных фотоэлектрических сканирующих устройств.
Известны безвакуумные телевизионные 5 передающие устройства на основе триодных полупроводниковых структур. Коммутация прибора осуществляется перемещением эквипогенциальной линии, создаваемой пилообразным напряжением и делите- 10 лем батареи постоянного смешения. Полупроводниковая структура имеет два разделенных слоя, один из которых является фоточувствительным, а на другом осуществляется деление электрического лотен,авиа- 15 ла.
11редлагаемая конструкция сканистора, показанная на чертеже„ отличается от известной тем, что источник постоянного смешения подключен к фоточувствительному 20 слою. Это позволило совместить функпию деления электрического потенциала и формирование фотосигнала в одном внешнем слое 1. Создается возможность другой вцешний слой 2 полу- 25
)проводниковой структуры делать сколько угодно толстым, а контакт 3 к этому слою сделать по всей поверхности структуры, тем самым повышается механическая прочность прибора. Такая конструкция позволяет за счет уменьшения общего сопротивления внешнего слоя 2 повысить интегра и-.— ную чувствительность прибора.
11редмет изобретения
Сканистор, представляющий собой P-h P или П-P П структуру, имеющий фоточувсч— вительный слой, слой, распределяющий цЬтенциал, и источник постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения интегральной чувствительности и механической прочности прибора, источник постоянное о смещении подключен к фоточувствительному слою, а вся структура размещена на токопроводящей шине, которая является омическим контактом. .I
197683
: "«Hi
3Ь @У
Составитель G.Ôåäþíèíà кк
Изл. J4 II )"„) ТиРаж 74р Подписное
ЦНИИГ!И Государственного комитета Совета Министров СССР
0 по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб. ° 4
Заказ 1Ю4
11редприятне «Патент», Москва, Г-S9, Бережковская наб., 24
1 e» oÐ А. Торопова Текрей Е.Подурушинн Корректор Ад пдп,,пщ