Ципоруха В.Д.

 (19)SU(11)1202461(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/66(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приб...

 Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения,...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев в процессе их осаждения. Сущность изобретения: для повышения точности определения толщины слоя при осаждении на вращающуюся подложку производят регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового излучения формируемой структуры на длинах волн 1,2,3, выби...

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля формирования структур с полупроводниковыми, диэлектрическими и металлическими слоями в микроэлектронном производстве. Целью изобретения является повышение точности определения толщины и оптических свойств слоев. Устройство содержит блок, с закрепленным в нем источником излучения светоделительным зеркалом,...