Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия

Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия

Реферат

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t₃, выбираемый из условия t₃2t₂-t_экстр, где t₂ - момент времени, с которого уровень интенсивности отраженного от растущего буферного слоя излучения остается постоянным, t_экстр - момент времени регистрации последнего экстремального значения интенсивности отраженного излучения в процессе осаждения буферного слоя.