Биленко Д.И.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К ПАТЕНТУ . ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ .ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) 1 (Й) 2758387/09 (22) 26.04.79 (46} 15.12.93 Бюл. Na 45-46 (71) Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете имН.Г.Черныаевского (72) Биленко ДИ.; Жаркова ЭА; Лодгауз 8А; Хасина ЕИ. (в) Sß (1...

  (1 9 ) Q l (1 ) (Я) ЯЯ СОЮЗ CObETCR3KX социллистичкских РкСпжпп госудАРствкннок пАткнтнок ВКДОМСТЗО СССР (ГОСПАТКНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ К ПАТЕНТУ 1 (21) 3234182/25 (22) 06.0181 (46) 15.1293 Бюл. Ne 45-.46 (71) Научно-исследовательский институт мехаеаа и физики при Саратовском государствееюм университете имНГЧернышевского (72) Биленко ДИ„Лясковский И.И (73) НИИ механеи...

 Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.

 (19)SU(11)1202461(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/66(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приб...

  Изобретение относится к измерительной технике , конкретнее к бесконтактным способам определения температуры твердых вещеав, и может быть использовано при проведении разпичных термических процессов над попупросодниковыми структурами. 8 частности на основе кремния и соединений типа А В . Цель изобретения - попышение точности. Сущность изобретения заключается в том. что регистрируют...

 Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения,...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев в процессе их осаждения. Сущность изобретения: для повышения точности определения толщины слоя при осаждении на вращающуюся подложку производят регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового излучения формируемой структуры на длинах волн 1,2,3, выби...

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля формирования структур с полупроводниковыми, диэлектрическими и металлическими слоями в микроэлектронном производстве. Целью изобретения является повышение точности определения толщины и оптических свойств слоев. Устройство содержит блок, с закрепленным в нем источником излучения светоделительным зеркалом,...