Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур
Патент 993775
Авторы
Классы МПК
Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур
Реферат
Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.