Пылаев С.Е.

 Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения,...

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля формирования структур с полупроводниковыми, диэлектрическими и металлическими слоями в микроэлектронном производстве. Целью изобретения является повышение точности определения толщины и оптических свойств слоев. Устройство содержит блок, с закрепленным в нем источником излучения светоделительным зеркалом,...