Корольков С.Н.

  Класс 1b, 6 Рй 125205 СССР ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ И. М. Верховский и С. Н. Корольков СЕПАРАТОР ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОИ СОРТИРОВКИ КУСКОВОГО МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ Заявлено 27 ноября 1953 г. за № 593704/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 1 за 1960 г. Для автоматической сортировки кусков...

  № ) 60763 Класс )Ь, Q СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная аруппа Л» 1 С. Н. Корольков и И. М. Верховский СЕПАРАТОР ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОРТИРОВКИ КУСКОВОГО МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ Заявлено 23 января 1961 г. за № 693781122 — 3 в Комитет по делам изооретени11 и открытии при Совете Министров СССР Опуолш.овано в

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества и надежности многоуровневых межсоединений. После формирования омических и выпрямляющих контактов к активным областям на основе силицила платины наносят слой титана-вольфрама толщиной 0,2 мкм и алюминия, легированного кремнием, толщин...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных биполярных схем с диодами Шоттки. Цель - повышение надежности интегральных схем и улучшение воспроизводимости параметров диодов Шоттки. Для этого после создания в подложке активных и пассивных элементов ИС, маскированных диэлектрической пленкой, в ней вскрывают окна к невыпрямляющим контактам и вы...

 Изобретение относится к полупроводниковому производству. Цель изобретения повышение качества и выхода годных структур за счет повышения воспроизводимости параметров диодов Шоттки. Способ создания интегральных микросхем с разнопороговыми диодами Шоттки включает формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевой подложке n типа, поочередное вскрытие контактных окон в диэл...

 Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений. Целью изобретения является повышение качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижение разнотолщинности диэлектрического...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: способ создания биполярных интегральных структур включает формирование скрытых слоев в кремниевой подложке, нанесение эпитаксиального слоя, формирование в нем областей эмиттера, базы и коллектора, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии, нанесение слоя металла и его фотолитографич...

 Использование: изобретение относится к производству полупроводников. Сущность: способ включает формирование пассивных и активных элементов в монокремниевой подложке n-типа, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон, нанесение слоя силицидообразующего металла и формирование силицида в контактных окнах, нанесение барьерного и токопроводящего слоев с последующим формированием конта...

  Изобретение относится к полупроводниковому производству и можеть быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений. Сущность изобретения: в способе создания многоуровневых межсоединений интегральных микросхем нижний диэлектрический слой наносят толщиной, составляющей 1,3 1,4 толщины нижнего уровня межсоединений. После вскрытия окон в органическ...