Михайловский И.П.

 Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществля...

 Измерительный мост полной проводимости, содержащий усилитель в измерительной диагонали моста, детектор, соединенный с индикатором, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения импеданса МДП-структур, в него введены узкополосный фильтр (например, кварцевый), фазовый детектор, индикатор активной составляющей проводимости, блок стабилиз...

 Измерительный мост полной проводимости по авт.св. 999774, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения диапазона частот проводимых измерений, в него введены гетеродин, два смесителя и фильтр измерительных частот, причем первый смеситель включен между измерительной диагональю четырехплечевого моста и усилителем, узкополосный фильтр соединен со втор...

 Пороговый электровоспламенитель, содержащий полупроводниковую подложку, МДП-конденсатор, на обкладку которого нанесено взрывчатое вещество, и выводы с контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты электровоспламенителя от воздействия высоковольтного напряжения, упрощения конструкции и технологии изготовления, в него введен дополнительный МДП-конденс...

  Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и...