Игнашев Е.П.

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для ра...

 (19)SU(11)430763(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14, H05K3/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ Изобретение относится к электронной технике и может использоваться при изготовлении точных диэлектрических деталей для вакуумных ми...

 (19)SU(11)434861(13)A1(51)  МПК 5    H01J1/88, H01J21/10(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЙ ПРИБОР Изобретение относится к конструкции электронных вакуумных приборов и может быть использовано в электронной технике и промышленности в портативной маломощной аппарат...

 (19)SU(11)470226(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ Известный способ получения многоэлектродных структур для электровакуумных приборов не обеспечивает высокой точности микрорельефа...

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по выс...

 (19)SU(11)529687(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве вакуумных интегральных схем, а также микросхем. Известны вакуумные интегральные схемы...

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ путем придания алюминиевой заготовке требуемой формы, электрохимического окисления заготовки и избирательного вытравливания неокисленного алюминия, отличающийся тем, что, с целью обеспечения прозрачности деталей и их формоустойчивости, после избирательного вытравливания детали из анодной окиси алюминия нагревают в окислительной атмосфере,...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ преимущественно для вакуумных интегральных схем, включающий селективное электрохимическое оксидирование алюминиевой заготовки, химическое травление неокисленных участков, нагревание в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств деталей за счет уменьшения их пористости, после нагревания в окислительно...

 1. Способ анодирования алюминиевых пластин, включающий электрохимическое окисление алюминиевых пластин в электролите при проведении процесса в импульсном режиме, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, процесс проводят, сообщая пластинам непрерывное движение с выходом из электролита при частоте периодов 20 - 100 в минуту. 2. Устройство для анодирования алюминиев...

 Изобретение относится к технологии изготовления радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретения - повышение качества многослойных печатных плат на подложках из алюминия, в результате регулирования роста анодного окисла при формировании проводников на поверхности и в объеме подложки, позволяющего уменьшить рельеф поверхности. Для обеспечения планарности подложки первое двустороннее анодирова...

  Использование: в радиоэлектронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления сверхтолстых до 0,6 - 0,9 мм диэлектрических подложек с отверстиями любой геометрической формы основан на обработке анодированной подложки из алюминия насыщенным раствором хромового ангидрида перед формированием на ней фоторезистивной маски, что позволяет повысить качество подложек за счет обеспечения од...

 Использование: при изготовлении гибридных интегральных схем микросборок в радиоэлектронной технике. Сущность изобретения: заготовку из алюминия после двустороннего сквозного анодирования отжигают в окислительной атмосфере и пропитывают в насыщенном растворе хромового ангидрида, что обеспечивает уменьшение пористости в анодном оксиде алюминия. Изобретение относится к радиоэлектронной техни...