Комарь В.К.

  Изобретение относится к выращиванию (фисталпов и позволяет получить кристаллы диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 32 10 см на длине волны 10.6 мкм. Предварительно проводят отжиг графитовой технологической оснастки компрессионной печи при температуре 1600 - 18РО°С в течение 1 - 2 ч в вакууме О СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВ...

  Изобретение относится к лазерной технике, в частности, к способам снижения коэффициента поглощения проходных оптических элементов СО -лазеров, которые изготавливаются из кристаллов селенида цинка, и может найти применение в химической промышленности. Цель изобретения снижение коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона Для этого кристаллы последовательно перемещают...

 Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI . С целью получения однородного по толщине, механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса кристаллы обезжиривают в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25С, наносят на нее слой серебра из смеси...

 д. Сущность изобретения: исходный халькогенид перед выращиванием обрабатывают в атмосфере дезоксидирующего газа при температуре на 10 - 20°С выше температуры кипения металла данного хальгенида. В качестве дезоксидирующего газа используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом (графитовой крошкой) при 850 - 950°С. Применен...