Славин М.Б.

  Использование: при изготовлении интегральных схем. Сущность изобретения: способ включает осаждение пленки нитрида кремния в условиях ВЧ-разряда при комнатной температуре. Способ позволяет предотвратить рост шипов. Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение...