Иноземцев С.А.

 (19)SU(11)1083848(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

  Изобретение относится к и.5мерительной технике , в частности к способам измерения ширины линий рисунка на объектах, содержащих прозрачныг ,и непрозрачные зоны, например на фотошгбгюнзх для литографии. Цель изобретени; - изгиерение ширины линий с. бмикронного диапазона за C4ST испзльзозания поляризованного излучения. Объект освещают линейно гюляри.зованным монохромзтичным электрог...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориент...

 Изобретение относится к измерительной технике для калибровки увеличения и системы позиционирования оптических и электронных микроскопов. Целью изобратения является удешевление поверки за счет использования радиотехнических методов. Калибровка меры 1, представляющей собой систему параллельных полос 2 с постоянным периодом, осуществляется путем облучения ее поверхностной акустической волной...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение точности получения элементов рельефа. На кремниевую подложку последовательно наносят слои электронорезиста многослойной резистивной маски. При нанесении в качестве материала слоя, прилегающего к по...

 Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение достоверности способа аттестации мер периодических типа растровой решетки. Способ аттестации мер периодических типа растровой решетки в маскирующем слое на прозрачной аморфной подложке включает формирование методом контактной литографии на монокристаллической пьезоэлектрической подложке решетки - копии в виде к...

 Изобретение относится к измерительной технике, к мерам для калибровки увеличения и систем позиционирования оптических и электронных микроскопов. Цель изобретения - повышение точности аттестации и проверки микроскопов путем точного определения периода металлических полос меры. Мера состоит из подложки, на которой сформирована система параллельных металлических полос с контактными площадкам...

  Изобретение относится к медицине и касается лечения язвенной болезни желудка и двенадцатиперстной кишки. Целью изобретения является сокращение сроков лечения и профилактики осложнений и побочных эффектов, профилактика рецидивов заболевания. Поставленная цель достигается тем, что в качестве противоязвенного средства применяют фенкарол в дозе 25 50 мг 3 4 раза в сутки внутрь в течение трех...