Способ измерения ширины линий рисунка на объектах с прозрачными и непрозрачными зонами

Способ измерения ширины линий рисунка на объектах с прозрачными и непрозрачными зонами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к и.5мерительной технике , в частности к способам измерения ширины линий рисунка на объектах, содержащих прозрачныг ,и непрозрачные зоны, например на фотошгбгюнзх для литографии. Цель изобретени; - изгиерение ширины линий с. бмикронного диапазона за C4ST испзльзозания поляризованного излучения. Объект освещают линейно гюляри.зованным монохромзтичным электрог агяитнын из.пу ченисм, тажм, что вектор магнитной напряженности параллелен гоаницз измеряемой лини1-, проводят измерения интенсивной линии, проводят измерения интенсив- .иостей излучений, пpOLueдшиx через три одинако2 вых прямоу| опьных участка 1. 2, 3, причем один из них (1) на.ходится на прозрачной зоне объекта-другой (2) на .непрозрачной, а третий (3) включает часть измеряемой .пинии с частью зоны объекта, прилегающей к этому участку линии и противоположиой ей по свойствам пропускания излучения, содержащаяся на третьем участке часть линии должна быть параллельна одной паре противоположных сторон участка и пересекать другую. Ширину -пинии опредегьчют по формуле -1 (для непрозрачной линии); d--l -I / -f (для прозрачной линии ), где d - ширина из iepяeмoй гафнии; i - интес сиеность излучения, прошедшего через прозрачный часток; i - интеьтавность изп чения, прошедшего через непрозрачный участок; I - интенсизнссть из- . прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой линии; В - длина стороны учаака, перпендикулярного измеряемой линии. 1 ил. Ш B fff03/X VНОЯ fefiO /ffryxntfyufoKf SeffC IK e Ы 4 0© e© h-A

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)

ОЛИСАЯИЕ ИЗОБРЕТЕБИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

К(й

2 (2 4) 3972273/28 (22) 0 .1 1.85 (46) 5Л0.93 с«юл. Кв37 — 38 (72) Куликов ВА; Иноземцев CA (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНЫ.-1 ШИРИНЫ ЛИНИЙ

РИСУНКА НА ОБ ЕК7Ю С ПРОЗРАЧНЫ И И

НЕПРОЗР АЧНЫМИ ЗОНАМИ (57) Изобретение относится к измерительной технике, в частности K способам измерения ширины линий рисунка на объектах, содержащих прозрачные.и невроз ачные зоны, например на фотош=б— лонах дпя литографии. Цепь изобретени,", — из,ирение ширины линий субми ронного диапазона за счет использования поляризованного излучения.

Объект освещают линейно поляризованнь.м моно,— ромати- нь,м алектромагнитным излучением,: ким, что вектор магнитной напряженности гараллелен границам измеряемой лини,, проводят измерения интенсивной пинии, проводят измерения ин енсивностей излучений, прошедших через три одинако(в) SU (и) 13348М Ai. (5Ц 5 G018 Иа2 вых прямоугольных участка 1, 2, 3, причем один из них (1) находится на прозрачной зоне объекта другой (2) На непрозрачной, а третий (3) включает часть измеряемой линии с часпью эоны объекта, прилегающей к этому участку линии и противоположной ей по свойствам пропускания излучения, причем содержащаяся на третьем участке часть линии должна быть параллельна одной паре противоположных сторон участка и пересекать другую. Ширину пинии определяют по формуле 6=I -I /I — (для непрос:. с и зрачной литии); а=-l -I /1 -t (дпя прозрачной ли— з м с м

Ф" нии), где 6 — ширина измеряемой пинии; I — l1HTc с сивность излучения, прошедшего через прозрачный участок; i — интенсивность изл чени1, прошедшего через нейрозрачный участoh", i — интенсивность из з

Ji):= ения, прошедшего через участок, содержащий часть изб:еряемой линии; Б — длина стороны участка, перпендикулярного измеряемой линии. 3 ил.

1334881

Изобретение относится v. измерительной технике, в частности к способам измерения ширины линий рисунка на обьектах, содержащих прозрачные и непрозрачные эоны, например, на фотошаблонах для литографии.

Цель изобретения — измерение ширины линий субмикронного диапазона эа счет использования поляризованного излучения.

На чертеже изображен пример выбора участков для изведения на фотошаблоне.

Ссуществля тся описываемый способ следующим образом.

Объектом с прозрачными и непрозрачными зонами может быть, например, фотошаблон для литографии, состоящий иэ кварцевой подложки с тонким - 0.1 мкм хромовым покрытием.

Измерения могут быть проведены с использованием микроскопа — фотометра 20

МРЧСД фирмы Leis, оптического излучения с длиной волны 0,546 мкм (зеленая линия}. линейно поляризованного так, что вектор магнитной напряженности излучения параллелен измеряемым линиям фотошаблона, лежащего на столике микроскопа, Прошедшее .излучение собирают объективом микроскопа. Измеряют интенсивности излучений, прошедших через.три одинаковых по размерам прямоугольных участка 30 обьекта. Одлн участок 1 вь .бирают на непрозрачной зоне обьекта, другой 2 — на прозрачной, а третий 3 включает часть

Формула изобретения 35

Способ измерения ширины линий рисунка на обьектах с прозрачнымл и непрозрачными зонами, например на фотошаблонах для литографии, заключающийся в том, что освещают обьек1 пучком электромагнитного 40 монохроматического излучения. иэмеря1от интенсивность излучения, прошедшего через объект. и определяют ширину линий, о т.л ич а ащийс я тем,что. с-целью измерения ширины линий субмикронного диапазона, 45 осуществляют освещение обьекта линейно поляризованном излучением таким, ч го вектор магнитной напряженности излучения параллелен границам измеряемой линии, выбирают три одинаковых по размерам пря- 50 моуголвных участка обьекта; один на непрозрачной зоне объекта, другой на прозрачной, а третий включает часть измеряемой лийиис частью зоны объек1-а, контактирующей с атой частью линии, одна пара 55 измеряемой линии с частью эоны объекта, контактирующей с этой часть1о линии и npomaononoжной ей по свойствам пропускания излучения, Причем одна пара сторон третьего участка параллельна части линии этом участке, другая пара пересекает ее, а ширину линии определяют по формуле:

4 — м

Ь (для прозрачной линии);

1с 1м

Ic = Iэ, Ь (для непрозрачной линии), 1с 1м где d — ширина измеряемой линии;

Ic — интенсивность излучения, прошедmего через участок на прозрачной зоне обьекта;

1> — интенсивность излучения, прошедшего через участок на непрозрачной зоне обьекга:

4 -- интенсивность излучения, прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой линии;

b — длина сторонь, участка, перпендикулярной измеряемой линии, (56) W. loch Das Е1&тгопепмга11 kontrolimep-un -belIchbungs-gerdt ZRH-12-",lena

Rundschau" 977 1 Д р 159 — 167

S.Jensen, 0, Smyt з Ь-micrometer length гпеtrology: problems, techniques and

solutions — ln эсапп119 Hectron п11сгоэсору, Chicago. 19B0, р. 396-397, сторон третьего участка параллельна линии, а другая пара пересекает ее, измеряют интенсивность излучений, пр зшедших через три участка, а ширину линий определяют по формуле

4 1м.

0 = Ь (для прозрачной линии), 1с — 1м

Ic 1з

d = - . Ь (для непрозрачной линии), Iñ 4., где б — ширина измеряемой линии;

1с интенсивность излучения, прошед"

mего через участок нг прозрачной зоне обьекта;

I< — интенсивность излучения, прошедшего через участок на непрозрачной эона объекта;

4 — интенсивность излучения, прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой ллнии;

Ь вЂ” длина стороны участка, перпендикулярной измеряемой линии,