PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Чепуров А.И.

Изобретатель Чепуров А.И. является автором следующих патентов:

Емкостный уровнемер

Емкостный уровнемер

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения уровня диэлектрических жидкостей, особенно в условиях дистанционных измерений при скоростях контролируемого параметра. Цель изобретения - расширение области применения за счет увеличения быстродействия и снижения влияния сопротивления потерь емкостного датчика. Для того, чтобы осуществить измерение емкос...

1623384

Способ обработки алмаза

Способ обработки алмаза

 Способ обработки алмаза путем контактирования с инструментом, выполненным из материала, реагирующего с углеродом алмаза при температуре выше 600oC в атмосфере газа-реагента, и при перемещении алмаза и инструмента относительно друг друга, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости и качества обработки, алмаз предварительно ориентируют и обработку проводят в плоскости и направлении,...

1828627

Реакционная ячейка для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

Реакционная ячейка для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

 Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза для алмазного инструмента. Ячейка содержит снабженные запирающими таблетками графитовый нагревательный элемент с токовводными графитовыми крышками и токовводными стержнями и внутреннюю втулку. Выполнение токовводного стержня с выступами над центральной частью запирающей таблетки высотой 0,2-0,3 мм и выбор толщины токовводно...

2128548

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС". Технический результат: получение асимметрично зональных кристаллов алмаза общим количеством 20 - 30 шт., где наиболее дефектная часть кристалла локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Такие алмазы предназначены для изготовления различных видов однокристального алмазного инстру...

2162734

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС" для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Сущность изобретения: реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, выполненными разной толщины, причем диаметр верхнего с...

2176690