Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза
Реферат
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС" для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Сущность изобретения: реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, выполненными разной толщины, причем диаметр верхнего стержня на 20-25% меньше диаметра нижнего, запирающие ячейку таблетки и внутреннюю изолирующую втулку, в полости которой в наиболее горячей зоне размещен источник углерода и металлорастворитель, причем источник углерода выполнен в виде кольца, у которого внутренний диаметр равен 1/2-1/3 внешнего диаметра. В холодной зоне полости изолирующей втулки расположена подложка, на выступе которой со смещением на 1/3-2/3 диаметра подложки от ее центра расположен кристалл алмаза. Изолирующая внутренняя втулка выполнена из смеси оксидов циркония, магния и хлорида цезия при следующем соотношении компонентов, вес.% Zr02 60-70; Mg0 10-15; CsCl 15-30. Изобретение обеспечивает получение асимметрично зональных кристаллов алмаза весом более 1 карата, у которых дефектная часть локализована с одного края. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза, предназначенных для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента, в частности к устройству реакционной ячейки многопуансонного аппарата типа "БАРС".
Известна реакционная ячейка для выращивания кристаллов алмаза на многопуансонном аппарате типа "БАРС", содержащая графитовый нагреватель цилиндрической формы, внутри которого установлена изолирующая втулка, и снабженная запирающими таблетками с токовводными графитовыми крышками и токовводами [1,2] . Внутри втулки помещены образец, состоящий из источника углерода - графита и металла-растворителя, расположенных в наиболее горячей зоне ячейки, и подложки с затравочным кристаллом. Однако в ячейках данной конструкции центром роста кристалла алмаза является затравочный кристалл, который при разрастании оказывается в центре его нижней грани. Вследствие изменения условий роста в известных устройствах в направлениях от затравки к периферии кристалла алмаза образуется зональность (изменение свойств кристалла алмаза в виде зон роста). Зональность сказывается отрицательно на свойствах кристалла, особенно при использовании его в качестве однокристального алмазного инструмента. Кроме того, температурный градиент направлен по оси нагревателя и способствует равномерному разращиванию кристаллов во все стороны. Конструкция ячейки не позволяет создать условия, чтобы затравка была локализована на краю кристалла, и таким образом уменьшить проявление зональности в основной массе кристалла. Наиболее близким из известных аналогов является реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления типа "БАРС" для выращивания асимметрично зональных монокристаллов, содержащая соосно установленные графитовый нагревательный элемент цилиндрической формы с токовводными графитовыми крышками и токовводными стержнями, установленными в центре запирающих ячейку таблеток, изолирующую внутреннюю втулку, выполненную из оксида магния, внутри которой в наиболее горячей зоне расположен источник углерода и металл-растворитель, а в холодной зоне расположена подложка с затравочными кристаллами алмаза [3]. В этой ячейке для получения асимметрично зональных монокристаллов в количестве 3-10 шт. токовводный стержень выполняют с выступами над центральной частью запирающей таблетки при соблюдении заданного соотношения толщины токовводной крышки и толщины стенки графитового нагревателя, а затравочные кристаллы располагают по периметру подложки, выполненной из смеси оксидов циркония, кальция и магния, на определенном расстоянии от ее края. Однако конструкция данной ячейки предназначена для выращивания нескольких кристаллов алмаза (3-10 шт.), вес каждого из которых не превышает 0,3-0,5 карата и невозможно получить такое же количество кристаллов весом более 1 карата, предназначенных для изготовления определенных типов однокристального алмазного инструмента. Кроме того, в данной ячейке нет пространства по оси нагревателя для расположения крупного (более 1 карата) кристалла и при выращивании такого кристалла он неизбежно упрется верхней гранью в источник углерода и остановится в своем росте. Наконец сочетание бокового и радиального температурных градиентов в известной ячейке, предназначенных для роста нескольких кристаллов, не позволяет выращивать один крупный качественный кристалл алмаза и необходимо усилить отток тепла от зоны затравки. Технический результат, который может быть получен при осуществлении изобретения, заключается в получении крупных, асимметрично зональных монокристаллов алмаза для однокристального алмазного инструмента. Для этого в реакционной ячейке, содержащей соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, установленными в центре запирающих ячейку таблеток, изолирующую внутреннюю втулку, в полости которой в наиболее горячей зоне размещены источник углерода и металл-растворитель, а в холодной зоне расположена подложка с затравочным кристаллом алмаза, источник углерода выполнен в виде кольца, причем внутренний диаметр кольца равен 1/2-1/3 внешнего диаметра, затравочный кристалл расположен на выступе подложки со смещением на 1/2-2/3 диаметра подложки от центра, токовводные стержни выполнены разной толщины, причем диаметр верхнего стрежня на 20-25% меньше диаметра нижнего стержня, а изолирующая внутренняя втулка выполнена из смеси оксидов циркония, магния и хлорида цезия при следующем соотношении компонентов, вес.%: ZrO2 60-70; MgO 10-15; CsCl 15-30. Выполнение источника углерода в виде кольца и расположение затравочного кристалла на выступе подложки со смещением обеспечивают необходимый объем для роста крупного кристалла, причем смещение затравочного кристалла позволяет выращивать кристаллы алмаза, у которых наиболее дефектная затравочная часть локализована у края кристалла, т.е. получать крупные асимметрично зональные кристаллы алмаза. Подбор толщины токовводных стержней, при котором диаметр верхнего стержня на 20-25% меньше диаметра нижнего, позволяет создать оптимальный температурный градиент и отвод тепла от растущего кристалла в кристаллизационном объеме в течение всего периода выращивания. Состав изолирующей внутренней втулки позволяет обеспечить сохранность графитового нагревателя от вытекания на него расплава металла с прекращением нагрева в длительных опытах выращивания крупных кристаллов. Предложенная конструкция реакционной ячейки позволяет получать крупные асимметрично зональные кристаллы алмаза, где наиболее дефектная часть кристалла локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Поэтому основная часть кристалла, которая используется в работающем алмазном инструменте, является незональной, однородной и обладает наиболее высоким качеством. На фиг. 1 а представлена реакционная ячейка для выращивания крупных асимметрично зональных монокристаллов алмаза; на фиг. 1б показана схема расположения затравочного кристалла на подложке (пунктирами показаны контуры вырастающего кристалла алмаза). Ячейка установлена в рабочее тело кубической формы (на фиг. 1 а не показано) и состоит из трубчатого графитового нагревательного элемента 1 с токовводными графитовыми крышками 2, контактирующими непосредственно с молибденовыми дисками 3. Диски установлены с возможностью контакта с молибденовыми токовводными стержнями 4, выполненными разной толщины и расположенными в центре запирающих таблеток 5. Внутри графитового нагревателя установлены изолирующая таблетка 6 и изолирующая втулка 7, внутри которой расположена шихта. Шихта состоит из источника углерода - графита в виде кольца 8, железоникелиевого металла-растворителя 9. В нижней части ячейки расположена подложка 10 с запрессованным на выступе со смещением от ее центра затравочным кристаллом алмаза 11. Реакционная ячейка работает следующим образом. Пример 1. Во внутренней изолирующей втулке (7), выполненной из смеси оксидов металлов и хлорида цезия, вес.%: ZrO2 = 60, MgO = 10; CsCl = 30, расположена подложка (10) диаметром 15 мм, на выступе которой установлен затравочный кристалл алмаза (11) таким образом, что он смещен на 1/3 диаметра подложки от ее центра. Ближе к центру ячейки помещают шайбу металла-растворителя (9) диаметром 15 мм и высотой 3 мм, в самой горячей зоне ячейки помещают кольцо (8) источника углерода (графит) внешним диаметром 15 мм, внутренним диаметром 7,5 мм и высотой 2 мм. Внутреннюю изолирующую втулку (7) с шихтой устанавливают в графитовый нагреватель (1) высотой 16 мм с толщиной стенки 0,5 мм, закрывают токовводными графитовыми крышками (2) толщиной 1,5 мм и далее запирающими таблетками (5) с токовводными стержнями (4), причем диаметр нижнего стержня 3 мм, а диметр верхнего стержня составляет 2,5 мм, т.е. на 20% меньше. Рабочее тело кубической формы, в которое помещена реакционная ячейка, устанавливают в рабочую полость многопуансонного аппарата высокого давления (БАРС). Создают давление 55 кбар и температуру 1550oC, в зоне роста устанавливается градиент температуры 15oC, указанные режимы роста выдерживают 108 часов. За этот период времени происходит рост кристалла алмаза на затравку. Отключают температуру, сбрасывают давление, извлекают реакционную ячейку. Металл растворяют и извлекают выращенный алмаз. Получен кристалл алмаза весом 1,3 карата. Кристалл изометричный, октаэдрического габитуса, янтарно-желтого цвета, включения металла только в зоне затравки. Под микроскопом кристалл алмаза асимметрично зональный и основная его масса однородная, без включений, зон роста, микродвойников, трещин и других дефектов. Пример 2. Используют изолирующую втулку, выполненную из смеси оксидов металлов и хлорида цезия, вес.%: ZrO2 = 70; MgO = 15; CsCl = 15. На выступе подложки диаметром 15 мм установлен затравочный кристалл алмаза таким образом, что он смещен на 2/3 диаметра выступа подложки от ее центра. В самой горячей зоне помещают кольцо источника углерода внешним диаметром 15 мм, внутренним диаметром 5 мм. Далее, как в примере 1, используя запирающие таблетки с токовводными стержнями, причем диметр нижнего стержня 3 мм, а диаметр верхнего стержня составляет 2,25 мм, т.е. на 25% меньше. Заданные режимы выдерживают 140 часов. Получен кристалл алмаз весом 1,8 карата. Кристалл изометричный, октаэдрического габитуса, янтарно-желтого цвета, включения металла только в зоне затравки в периферической части. Под микроскопом кристалл алмаза асимметрично зональный и основная его масса однородная, без включений, зон роста, микродвойников, трещин и других дефектов. Таким образом, предложенная реакционная ячейка позволяет получать крупные асимметрично зональные кристаллы алмаза, у которых наиболее дефектная часть локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Поэтому основная часть кристалла является однородной, незональной и в ряде случаев выше по качеству, чем природные алмазы. Источники информации 1.Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н., Хохряков А.М. и др. Морфология кристаллов алмаза, синтезированных в системе Ni-Mn-C на аппарате типа "разрезной куб". - Труды ИГиГ СО АН СССР, Проблемы теоретической и генетической минералогии/ Изд. Наука, Новосибирск, 1981, вып. 499, С.38-40. 2. Пальянов Ю.Н., Малиновский И.Ю., Борздов Ю.М. и др. Выращивание крупных кристаллов алмаза на беспрессовых аппаратах типа "разрезная сфера". - Доклады АН СССР, 1990, т. 315, N 5, с. 1221-1224. 3. Чепуров А.И., Федоров И.И., Сонин В.М. и др. Реакционная ячейка для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза. - Патент РФ N 2128548, МПК: В 01 J 3/06, С 30 В 29/04, заявлено N 97103542/25, заявлено 17.03.97, Бюл. N 10, 10.04.99 (прототип).Формула изобретения
1. Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания асимметрично зональных монокристаллов алмаза, содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, установленными в центре запирающих ячейку таблеток, изолирующую внутреннюю втулку, в полости которой в наиболее горячей зоне размещен источник углерода и металл-растворитель, а в холодной зоне расположена подложка с затравочным кристаллом алмаза, отличающаяся тем, что источник углерода выполнен в виде кольца, затравочный кристалл расположен на выступе подложки со смещением по диаметру от ее центра, токовводные стержни выполнены разной толщины, причем диаметр верхнего стержня на 20-25% меньше диаметра нижнего, а изолирующая внутренняя втулка - из смеси оксидов циркония, магния и хлорида цезия. 2. Реакционная ячейка по п.1, отличающаяся тем, что внутренний диаметр кольца источника углерода равен 1/2-1/3 его внешнего диаметра. 3. Реакционная ячейка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что состав изолирующей втулки определен следующим соотношением компонентов, вес.%: ZrO2 60-70; MgO 10-15; CsCl 15-30. 4. Реакционная ячейка по п.1, или 2, или 3, отличающаяся тем, что смещение затравочного кристалла относительно центра подложки составляет 1/3-2/3 ее диаметра.РИСУНКИ
Рисунок 1